키옥시아(Kioxia Corporation)와 웨스턴디지털(Western Digital)이 8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASHTM) 메모리 정보를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술이 핵심. 수직(적층)과 미세화 공정으로 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 개별적으로 제조한 후 결합하는 방식으로 향상된 밀도와 개선된 입출력(I/O) 속도 기반의 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 기술을 개발했다.
218단 3D 플래시는 4개의 플레인(plane)으로 이뤄진 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC)과 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며 비트 밀도를 50% 이상 향상시켰다. 이전 세대 대비 60% 향상된 3.2Gb/s 이상 고속 낸드 입출력과 20% 향상된 쓰기 성능 및 읽기 지연 시간(read latency)을 갖췄다.
웨스턴디지털 알페르 일크바하르(Alper Ilkbahar) 부사장은 “양사는 하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 이번 기술을 예정보다 일찍 제품화하고 높은 성능을 지원하는 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”고 말했다.
키옥시아의 마사키 모모도미(Masaki Momodomi) CTO는 “업계 최고 비트 밀도를 제공하는 8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)를 선보일 수 있게 됐다”고 말했다.
By 김현동 에디터 Hyundong.Kim@weeklypost.kr
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