마이크로칩 시리얼 64Mbit SuperFlash 메모리, 두 번재 방사선 내성 인증 통과
마이크로칩 시리얼 64Mbit SuperFlash 메모리, 두 번재 방사선 내성 인증 통과
  • 김신강
  • 승인 2022.04.22 09:57
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마이크로칩은 50 총이온화선량 내성을 갖춘 64메가비트(Mbit) 시리얼 쿼드 I/O NOR 플래시 메모리 디바이스를 공개했다. 우주 애플리케이션을 위한 COTS 기반 RT SuperFlash 제품군으로 가혹한 항공우주 및 방위 시스템 환경에 대응한다.

부사장 밥 뱀폴라(Bob Vampola)는 “SST26LF064RT SuperFlash 디바이스는 다양한 우주 애플리케이션에서 모든 SRAM 기반 FPGA와 함께 동작하는 64Mbit 시리얼 쿼드 I/O 메모리 솔루션에 업계 최고의 TID 성능을 제공한다. 이번 신제품은 전체 시스템을 구동하는 주요 소프트웨어 코드 또는 비트스트림 저장에 컴패니언 플래시 메모리를 요하는 저궤도(Low Earth Orbit, LEO) 우주 위성단이나 여타 가혹한 방사선 환경에서 사용되는 시스템에 적합하다”고 말했다.

기존 스택형 게이트 플래시 대비 더 뛰어난 성능, 데이터 보존 및 안정성을 제공하도록 독점 분할 게이트 셀 아키텍처가 특징이다. 이번 제품은 전력 관리 스위칭의 복잡성을 제거해 플래시가 바이어스(bias)되며 위성 탑재 컴퓨터와 같은 시스템에서 동작하거나 모터, 센서, 태양 전지판 및 전력 분배를 위한 다양한 컨트롤러에서 동작 중인 경우에도 업계 최고 수준의 TID를 보장한다.


By 김현동·김신강·오국환 에디터
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