온세미는 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 발표했다. 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 사용 가능한 스위치다.
FS7 디바이스에는 고속(S-시리즈) 및 중속(R-시리즈) 옵션이 포함된다. 낮은 VF, 조정된 스위칭 연성을 위한 최적화된 다이오드가 포함돼 있으며, 최대 175°C의 접합 온도(TJ)에서 구동한다. FGY75T120SWD와 같은 S-시리즈 디바이스는 1200V IGBT 중에서 높은 스위칭 성능을 갖췄다.
By 김현동 에디터 Hyundong.Kim@weeklypost.kr
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