TSMC가 1.4나노(A14) 이후 공정을 생산할 차세대 팹 건설 준비에 들어갔다. 대만 신주과학단지 룽탄(Longtan) 확장 계획이 승인되면서 2030년부터 1.4나노보다 미세한 공정을 생산할 수 있는 기반을 마련하게 됐다.
대만 언론에 따르면 TSMC는 신주과학단지 룽탄 단지 3단계 확장 계획에 대한 승인을 확보했다.
공급망 관계자는 해당 부지가 A14 이후 세대 공정 생산을 담당할 예정이라고 전했다. 3단계 확장 구역에는 총 3개의 공장이 들어서며, 첫 번째 팹은 2030년 양산을 시작할 것으로 예상된다.
TSMC는 현재 2나노(N2)를 양산하고 있으며 다음 세대 공정으로 A16과 A14를 준비하고 있다.
A14는 현재 생산 중인 N2 계열과 비교해 로직 밀도를 20% 이상 높이고, 성능은 10~15% 향상할 것으로 예상된다. 동일 성능 기준 소비전력은 25~30% 줄이는 것이 목표다.
룽탄 확장은 A14와 그 이후 공정을 함께 수용하는 구조로 진행된다.
앞서 8월에는 해당 부지에 A14 생산시설 2곳과 첨단 패키징 공장이 들어설 것이라는 내용이 전해졌다. 새롭게 공개된 계획에서는 초기 구역이 A14 생산을 담당하고, 이후 확장 구역에서 A14보다 앞선 차세대 공정을 생산하는 방향이 제시됐다.
전체 개발 면적은 약 104에이커 규모다. 사업비는 약 950억 대만달러, 미화로 약 30억 달러가 투입될 전망이다.
TSMC는 2023년에도 룽탄 지역으로 생산시설을 확대하려 했지만 토지 수용을 둘러싼 주민 반발로 계획을 미뤘다. 이후 개발 면적을 기존 159에이커에서 104에이커로 줄이고 민간 토지 수용 비중도 낮추면서 사업을 다시 추진했다.
차세대 공정 경쟁에서는 인텔과 일정이 겹친다.
인텔은 14A 공정을 2028년부터 본격적으로 확대할 계획이다. 앞서 공개된 전망에서는 14A 생산능력이 2027년 말 월 6000장, 2028년에는 월 2만4000장 수준까지 늘어날 것으로 예상됐다.
TSMC 역시 A14 이후 공정까지 생산할 부지를 미리 확보하면서 2030년 이후를 겨냥한 생산 로드맵을 구체화하고 있다.
첨단 공정 경쟁은 단순히 트랜지스터 크기를 줄이는 단계에서 벗어나 GAA 구조와 후면 전력 공급, 첨단 패키징까지 함께 최적화하는 방향으로 이동하고 있다. TSMC가 A14 이후 공정을 위한 전용 팹까지 준비하면서 인텔 14A와의 차세대 파운드리 경쟁도 한층 빨라질 전망이다.
