중국 최대 DRAM 제조업체 CXMT(ChangXin Memory Technologies)가 베이징에 두 번째 메모리 반도체 공장 건설을 검토하고 있다. 사상 최대 규모의 기업공개(IPO)를 통해 확보한 자금을 바탕으로 생산능력을 확대하고, AI 시대 메모리 시장에서 영향력을 키우려는 전략이다.
로이터통신에 따르면 CXMT는 베이징 신규 메모리 생산시설 건설을 위한 초기 협의를 진행하고 있다. 검토는 기업공개 이전부터 시작됐으며, 현재는 베이징 경제기술개발구(Beijing Economic-Technological Development Area)와 지원 방안을 논의하는 단계다. 구체적인 투자 규모나 착공 일정은 아직 공개되지 않았다. 베이징 투자는 생산능력 확대 전략의 연장선이다.
CXMT는 최근 대규모 IPO를 성공적으로 마무리하며 대규모 자금을 확보했다.
앞서 회사는 상하이와 허페이에 신규 생산시설을 건설하고 있으며, 생산능력을 현재 월 약 20만 장 수준에서 장기적으로 월 60만 장 규모까지 확대하는 계획을 추진하고 있다. 베이징 공장이 추가될 경우 생산 기반은 더욱 확대될 전망이다.
중국 정부의 반도체 자립 전략도 순풍도 타고 있다. 미국의 반도체 수출 규제로 첨단 메모리와 제조장비 확보가 어려워지면서 중국은 자국 메모리 산업 육성을 국가 핵심 과제로 추진하고 있다. 베이징 역시 화웨이를 비롯한 주요 반도체 기업을 중심으로 AI 반도체와 메모리 공급망을 구축하는 데 적극적인 지원을 이어가고 있다.
CXMT는 차세대 메모리 개발에 속도를 내고 있다. 최근에는 LPDDR6가 연구개발 검증(R&D Verification) 단계를 마쳤다는 보도가 나왔다. LPDDR6는 최고 12.8Gbps급 전송속도와 16Gb 용량을 목표로 개발되고 있으며, 소량 양산 검증을 거쳐 본격적인 양산 단계에 진입할 것으로 전망된다.
삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 AI 데이터센터용 HBM과 서버 DRAM 생산 비중을 지속적으로 확대하고 있다. 반면 CXMT는 LPDDR과 범용 DRAM을 중심으로 공급을 확대해 모바일과 온디바이스 AI 시장에서 점유율을 높이려는 전략을 선택한 것으로 평가된다. 사실상 틈새시장 공략이다.
업계는 CXMT가 중국 내수 시장을 넘어 글로벌 메모리 업체로 성장하기 위해서는 생산능력 확대뿐 아니라 수율(Yield)과 공정 안정성, 첨단 메모리 기술 확보가 함께 이뤄져야 한다고 보고 있다. 특히 LPDDR6와 차세대 3D DRAM, 하이브리드 본딩 등 차세대 메모리 기술 개발이 향후 글로벌 경쟁력을 결정하는 핵심 요소가 될 것으로 전망된다.
다만 베이징 제2 공장 건설은 현재 초기 검토 단계다. 투자 규모와 착공 일정, 실제 생산 제품군 등은 아직 확정되지 않았으며, 향후 중국 정부와 CXMT의 공식 발표를 통해 구체화될 것으로 보인다.
