열화상 테스트서 ‘히트 아일랜드’ 현상 완화… 2nm GAA·FOWLP·HPB로 열 경로 재설계
갤럭시 S26 시리즈 공개 이후, 일부 지역에 탑재된 엑시노스 2600의 발열 특성이 본격적으로 확인되기 시작했다. 특히 열화상 촬영을 포함한 실사용형 테스트에서 고부하 게임을 연속 구동해도 표면 온도가 비교적 안정적으로 유지되는 모습이 포착되며, 엑시노스 계열의 고질적 약점으로 꼽혀온 스로틀링 문제가 상당 부분 개선됐다는 평가가 나온다.
이번 테스트는 갤럭시 S26과 S26+를 대상으로 진행됐고, 안투투·3DMark·CPU 스로틀링 테스트 외에 게임 3종을 연속으로 돌려 열 특성을 확인했다. 테스트 환경의 실내 온도는 약 26도 수준으로 유지됐다.
고부하 구간은 최고 그래픽 설정에서 연속 플레이로 구성됐다. 리그 오브 레전드: 와일드 리프트 구동 시 기본형 갤럭시 S26의 평균 온도는 약 32도였다. 이어 갤럭시 S26+에서 원신을 15분 이상 플레이했을 때 전면 표면 온도 최대치는 약 38도, 후면은 37~37.5도 범위에서 움직였다. 마지막으로 S26+에서 붕괴 계열 게임을 구동했을 때는 프레임이 간헐적으로 떨어지는 구간이 있었지만, 전면 최대 온도는 39도, 후면은 38도 초반 수준으로 기록됐다.
수치만 놓고 보면 ‘뜨거워서 성능이 급격히 떨어지는’ 형태의 과열 패턴과는 거리가 있다. 엑시노스가 세대별로 발열과 스로틀링에서 반복적으로 지적을 받아왔던 점을 감안하면, 이번 결과는 체감에 영향을 줄 수 있는 변화로 받아들여진다.
발열 특성이 달라진 배경으로는 설계와 패키징, 열 경로 자체를 함께 손봤다는 설명이 따라붙는다.
핵심은 세 가지다.
첫째, 엑시노스 2600은 삼성 2nm GAA 공정을 적용한 첫 칩으로 언급된다. GAA는 게이트가 채널을 사방에서 감싸는 구조로, 전기적 제어가 좋아지고 필요한 전압을 낮추기 쉬워 효율 개선으로 이어질 수 있다는 논리다. 전력 효율이 좋아지면 동일 성능에서 발열 부담도 줄어드는 방향으로 연결된다.
둘째, FOWLP(팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징) 적용이 거론된다. 기존 기판 기반 패키징 대신 웨이퍼 레벨에서 입출력 연결을 구성해 두께와 손실을 줄이는 방식으로, 패키지 구조가 얇아지고 전기적·열적 특성도 유리해질 수 있다는 설명이다. 요지는 ‘칩을 둘러싼 구조’가 바뀌면서 열과 전력 손실을 줄이는 쪽으로 최적화됐다는 것이다.
셋째, HPB(Heat Path Block) 기술이 언급된다. 구리 기반 방열 구조를 AP와 직접 맞닿게 두고, DRAM을 측면으로 이동시키는 방식으로 열 경로를 재배치했다는 설명이다. 이 과정에서 열저항이 최대 30% 개선될 수 있다는 수치가 함께 제시된다.
