지능형 전력 및 센싱 기업 온세미가 PCIM 유럽에서 TOLL (TO-Leadless) 패키지형 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 발표했다. 높은 수준의 전력 밀도가 필요한 설계 요구를 충족한 신제품은 고성능 스위칭 장치의 수요 급증에 대체재가 될 것으로 전망됐다. 최근까지 SiC 제품은 훨씬 더 많은 공간을 필요로 하는 D2PAK 7-lead 패키지로 제공되어 왔다.
공개한 TOLL 패키지는 실장 면적이 9.90mm x 11.68mm로, D2PAK 패키지에 비해 PCB 면적을 30% 줄일 수 있다. 또한 두께가 2.30mm로 D2PAK 패키지보다 60% 적은 공간을 차지한다. 크기가 작을 뿐만 아니라 D2PAK 7-lead보다 우수한 열 성능과 낮은 패키지 인덕턴스(2nH)가 특징이다.
Kelvin 소스 구성은 Kelvin 구성이 없는 장치에 비해 턴-온 손실(EON)이 60% 적고, 게이트 노이즈를 낮추고 스위칭 손실도 낮다. SMPS, 서버 및 통신 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무 정전 전원 공급 장치(UPS) 및 에너지 스토리지를 포함해 ErP 및 80 PLUS Titanium 인증 등급 충족이 필요한 설계에 대응한다.
아시프 자콰니(Asif Jakwani) 수석부사장은 "TOLL 패키지를 온세미의 동급 최고 SiC MOSFET에 적용해 EMI와 같은 다양한 영역에서 이점을 지니게 됐다. 설계자가 어려운 전력 설계를 해결하는데 필요한 신뢰성과 내구성을 갖춘 고성능 스위칭 제품이다"고 말했다.
By 김현동 에디터
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