[2021년 06월 10일] - 우주 환경에서 구동할 전원 공급장치는 극심한 입자 상호 작용과 태양 및 전자기 활동을 극복하기 위해 강화된 방사선 기술이 필수다. 빈번한 태양 및 전자기 활동은 민감한 시스템 성능을 저하시키고 동작을 방해한다. 애초에 전용 설계를 해야 하는 이유다.
우주 항공 분야에서 마이크로칩테크놀로지는 남다는 입지를 개척했다. 상용 항공우주 및 우주 방위 애플리케이션용 인증을 획득한 250V, 온저항(Rds(on)) 0.21 옴을 갖춘 방사선 내성 강화 MOSFET(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)인 M6 MRH25N12U3는 미지의 환경에서 구동을 목적으로 설계됐다.
POL(point-of-load) 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 제어, 범용 스위칭 등 전력 변환 회로에 대한 주요 스위칭 요소를 갖췄다. 가혹한 우주 환경에서 구동을 보장하고, 전력 회로의 신뢰성을 높였다. 제조사는 국방물류청(Defense Logistics Agency, DLA) 심사 및 자격 테스트도 완료했다.
공식 제원은 최대 100 krad(킬로래드) 및 300krad의 총이온화선량(Total Ionizing Dose, TID)을 견디며 최대 87MeV/mg/cm2의 선형에너지전이(Linear Energy Transfer, LET)로 단일 이벤트 효과(Single Event Effect, SEU)를 견딜 수 있다. 검증 테스트를 통해 100%의 웨이퍼 로트 방사선 강도를 견뎌냈다.
By 김신강 에디터 Shinkang.kim@weeklypost.kr
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